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晶閘管的結構和工作原理
發布時間:
2020-02-15 17:16
摘要:
晶閘管和二極管的區別
發布時間:
2020-02-13 17:22
摘要:
2020年可控硅前景預測
發布時間:
2020-02-04 17:41
摘要:
超低壓雙電層晶體管研究獲進展
發布時間:
2018-07-18 09:20
摘要:
膜晶體管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一類重要的半導體器件,在平板顯示、傳感器等領域具有廣泛的應用價值。最近幾年,寬帶隙氧化物半導體由于其具有低溫成膜、高電子遷移率、可見光透明等優點,在薄膜晶體管領域引起了人們廣泛的研究興趣。由于常規SiO2柵介質電容耦合較弱,當前薄膜晶體管的典型工作電壓一般大于10V,大大限制了其在便攜式領域的應用。研究表明,離子液、離子凝膠(IonG
超低壓雙電層晶體管研究獲進展
發布時間:
2018-07-18 09:20
摘要:
膜晶體管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一類重要的半導體器件,在平板顯示、傳感器等領域具有廣泛的應用價值。最近幾年,寬帶隙氧化物半導體由于其具有低溫成膜、高電子遷移率、可見光透明等優點,在薄膜晶體管領域引起了人們廣泛的研究興趣。由于常規SiO2柵介質電容耦合較弱,當前薄膜晶體管的典型工作電壓一般大于10V,大大限制了其在便攜式領域的應用。研究表明,離子液、離子凝膠(IonG
硅制晶體管、半導體的時代即將過去
摘要:
生意社12月1日訊 在未來的幾十年里,芯片制造商將不能通過把更小的晶體管集成到一塊芯片上,來制造出速度更快的硅制芯片,因為太小的硅制晶體管容易破裂,同時非常昂貴?! ∪藗冄芯康牟牧舷胍焦?,就需要克服許多挑戰。如今,加州大學伯克利分校的研究人員找到一種方法,可以跨越這個障礙:他們已經開發出一種可靠的方法,可以制造出快速、低功耗的納米級晶體管,所用的是一種化合物半導體材料。他們的方法更簡單,并且肯
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